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金屬氧化物半導體場效電晶體

Transistor,縮寫:MOSFET),是一種可以廣泛使用在模拟電路與数字電路的場效電晶體。金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同,可分為电子占多数的N通道型與空穴占多数的P通道型,通常被稱為N型金氧半場效電晶體(NMOSFET)與P型金氧半場效電晶體(PMOSFET)。 以金氧半場效電晶體(MOSFET...

最後更新時間: 2021-05-25T11:35:53Z

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功率MOSFET

功率MOSFET是專門處理大功率的電壓和電流的金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET),也是功率半導體(英语:power semiconductor device)的一種。和其他功率半導體(例如絕緣柵雙極晶體管或晶閘管)比較,功率MOSFET的優點是其切換速度快,在低電壓下的高效率。功率MOSFET...

最後更新時間: 2021-05-14T02:45:31Z

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MOSFET閘極驅動器

MOSFET閘極驅動器(MOSFET Gate Driver)是配合功率MOSFET使用的閘極驅動器電路或是零件 ,適合用在需要高速開關的應用中。 閘極驅動器會產生電流到MOSFET的閘極,將MOSFET內閘極和源極之間的輸入電容充電,讓MOSFET導通。閘極驅動器中,輸出側到閘極之間也會有串聯電...

最後更新時間: 2021-02-13T06:04:41Z

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场效应管

FET)是一种在完全耗尽基底上制造,同时用为一个感应器、放大器和记忆极的FET。它可以用作图像(光子)感应器。 DGMOFET(Dual-gate MOSFET)是一种有两个栅极的MOSFET。 DNAFET是一种用作生物感应器的特殊FET,它通过用单链DNA分子制成的栅极去检测相配的DNA链。 FREDFET(Fast...

最後更新時間: 2021-04-16T08:16:34Z

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絕緣柵雙極晶體管

電電動機的輸出控制。传统的BJT导通电阻小,但是驱动电流大,而MOSFET的导通电阻大,却有着驱动电流小的优点。IGBT正是结合了这两者的优点:不仅驱动电流小,导通电阻也很低。 這種電晶體結合了金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的高電流單柵控制特性及雙極性電晶體的低飽和電壓的能力,在單一...

最後更新時間: 2020-06-16T08:57:36Z

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浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管

浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管(Floating-gate MOSFET,简称浮栅MOSFET或FGMOS)是一种场效应晶体管,其结构类似传统的金属氧化物场效应晶体管(MOSFET) 。FGMOS的栅极是电绝缘的,从而在直流电中产生浮动节点。在浮栅(floating...

最後更新時間: 2019-04-24T12:17:29Z

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閘極驅動器

MOSFET)的閘極。閘極驅動器可能是附在功率晶體上,也有可能是獨立的元件。閘極驅動器會包括位準轉換器以及放大器電路。 MOSFET和双极性晶体管不同,MOSFET在沒有切換(切換導通或是切換關斷)時,不需要固定的功率輸入。MOSFET...

最後更新時間: 2021-01-20T11:23:00Z

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阈值电压

voltage),又称阈电压或臨界电压,通常指的是在TTL或MOSFET的传输特性曲线(输出电压与输入电压关系图线)中,在转折区中点所对应的输入电压的值。 当器件由空乏向反轉转变时,要经历一个Si表面电子浓度等于電洞浓度的状态。此时器件处于临界导通状态,器件的閘極电压定义为阈值电压,它是MOSFET的重要参数之一。 http://www...

最後更新時間: 2019-04-08T05:37:49Z

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二氧化铪

用作耐火材料、抗放射性涂料和催化剂。近年来在微电子领域引起关注,它有可能替代目前硅基集成电路核心器件金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅极绝缘层二氧化硅(SiO2),以解决传统 MOSFET 中 SiO2/Si 发展的尺寸极限问题。 二氧化钛、二氧化锆 氮化铪、二硫化铪 Very High Temperature...

最後更新時間: 2020-09-29T03:32:03Z

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主動整流

rectification)或同步整流(synchronous rectification)是由主動控制的電子開關取代二極管,以提昇整流效率的技術,使用的電子開關多半是功率MOSFET或双极性晶体管。一般半導體的二極體壓降固定,約為0.5至1V,在工作電流範圍內,壓降不會隨電流有明顯的變化,主動整流器的壓降比較像是電阻,在低電流時的壓降很小。...

最後更新時間: 2021-02-23T11:34:44Z

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主要結果

金屬氧化物半導體場效電晶體

金屬氧化物半導體場效電晶體(簡稱:金氧半場效電晶體;英語:Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,縮寫:MOSFET),是一種可以廣泛使用在模拟電路與数字電路的場效電晶體。金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同,可分為电子占多数的N通道型與空穴占多数的P通道型,通常被稱為N型金氧半場效電晶體(NMOSFET)與P型金氧半場效電晶體(PMOSFET)。 以金氧半場效電晶體(MOSFET)的命名來看,事實上會讓人得到錯誤的印象。因為MOSFET跟英文單字「metal(金屬)」的第一個字母M,在當下大部分同類的元件裡是不存在的。早期金氧半場效電晶體閘極使用金屬作為材料,但由於多晶矽在製造工藝中更耐高溫等特點,許多金氧半場效電晶體閘極採用後者而非前者金屬。然而,隨著半導體特徵尺寸的不斷縮小,金屬作為閘極材料最近又再次得到了研究人員的注意。 金氧半場效電晶體在概念上屬於絕緣閘極場效電晶體(Insulated-Gate Field Effect Transistor, IGFET)。而絕緣閘極場效電晶體的閘極絕緣層,有可能是其他物質,而非金氧半場效電晶體使用的氧化層。有些人在提到擁有多晶矽閘極的場效電晶體元件時比較喜歡用IGFET,但是這些IGFET多半指的是金氧半場效電晶體。 金氧半場效電晶體裡的氧化層位於其通道上方,依照其操作電壓的不同,這層氧化物的厚度僅有數十至數百埃(Å)不等,通常材料是二氧化硅(SiO2),不過有些新的進階製程已經可以使用如氮氧化硅(silicon oxynitride, SiON)做為氧化層之用。 今日半導體元件的材料通常以矽為首選,但是也有些半導體公司發展出使用其他半導體材料的製程,當中最著名的例如國際商業機器股份有限公司使用硅與鍺的混合物所發展的矽鍺製程(SiGe process)。而可惜的是很多擁有良好電性的半導體材料,如砷化鎵(GaAs),因為無法在表面長出品質夠好的氧化層,所以無法用來製造金氧半場效電晶體元件。 當一個夠大的電位差施於金氧半場效電晶體的閘極與源極之間時,電場會在氧化層下方的半導體表面形成感應電荷,而這時就會形成反轉通道(inversion channel)。通道的極性與其汲極(drain)與源極相同,假設汲極和源極是n型,那麼通道也會是n型。通道形成後,金氧半場效電晶體即可讓電流通過,而依據施於閘極的電壓值不同,可由金氧半場效電晶體的通道流過的電流大小亦會受其控制而改變。