威廉·肖克利  转为简体

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威廉·蕭克利 William Shockley
出生	(1910-02-13)1910年2月13日  英国英格蘭倫敦
逝世	1989年8月12日(1989歲—08—12)（79歲）  美國加利福尼亞州史丹福
国籍	美國
母校	加州理工學院 麻省理工學院
知名于	點接觸電晶體（英语：Point-contact transistor） 雙極性電晶體 蕭克利二極體方程式
奖项	諾貝爾物理獎 (1956) 康斯托克物理獎（英语：Comstock Prize in Physics） (1953) IEEE榮譽獎章 (1980)
科学生涯
机构	貝爾實驗室 肖克利半導體實驗室 史丹佛大學
博士導師	約翰·C·斯萊特（英语：John C. Slater）

威廉·肖克利（英語：William Shockley，1910年2月13日—1989年8月12日），出生於英国的美国物理学家和发明家，一生共获得50多项专利^[1]。

他和约翰·巴丁、沃尔特·布拉顿共同发明了電晶體。他并因此获得1956年的诺贝尔物理奖。1950年代至1960年代，他在推动電晶體商业化的同时，選擇到山景城開公司，造就了加利福尼亚州今天电子工业密布的硅谷地区。

1. ^ William B. Shockley Biographical. [2022-06-04]. （原始内容存档于2022-06-04）.